(1) 不溶性ポリシランから可溶性シリコン高分子の製造方法, 出願番号 : 特許出願平５－７７３６５, 公開番号 : 特許公開平６－２６３８７８

(2) シリコン材料の製造方法, 出願番号 : 特許出願平５－７７３６

公開番号 : 特許公開平６－２６３４２

(3) フッ素含有シリコンネットワークポリマとその絶縁膜およびその製造法,出願番号 : 特許出願平７－１８１４１６, 公開番号 : 特許公開平９－３１２０１

(4) 薄膜部材の形成方法, 出願番号 : 特許出願平７－２１５９５３, 公開番号 : 特許公開平９－６３８１７

(5) 薄膜の形成方法及びそれを用いた電子装置, 特許公開平08－017726

(6) オルガノシリコンナノクラスター及びその製造方法, 出願番号　：　特願平9-163718, 公開番号：特開平11－14841

(7) 改善されたオルガノシリコンナノクラスター及びその製造方法, 出願番号：特願平9－298187, 公開番号：特開平11－130867

(8)　オルガノゲルマニウムクラスターを用いたシリコンーゲルマニウム合金の薄膜製造法, 出願番号　：　特開２００２－１１０５７３（Ｐ２００２－１１０５７３Ａ）, 公開番号：　特願２０００－３００６５５（Ｐ２０００－３００６５５）

(9) オルガノシリコンナノクラスター薄膜のプラズマ照射によるシリコンおよび酸化シリコン薄膜の製造方法, 出願番号: 特許出願２０００－３００６５４, 公開番号：　特開２００２－１１０６６３（Ｐ２００２－１１０６６３Ａ）

(10) 金属酸化物前駆体溶液と前駆体薄膜、該薄膜の形成方法およびそれを用いたコンデンサ, 公開番号：　特開２００４－２５３６８０（出願国＝日本）

(11)感光性樹脂生成物，出願番号:　特願2006-127834

(12) レーザーによる回路パターンの形成法およびそれを用いた電気回路基板，出願番号: 特願2006-296509

(13) かご型シルセスキオキサン骨格を含有する重合体を素材とする光学素子，出願番号: 特願2007-014157（Ｐ20060272）

(14) かご型シルセスキオキサン骨格を含有する重合体を素材とする光学素子，出願番号 : 特願2007-292019（Ｐ20060272-1　優先権）

(15) ゲルマニウム含有感光性樹脂組成物および屈折率制御法，出願番号: 特願2007-303616（Ｐ20070243）

(16) 光硬化型耐熱性樹脂組成物，出願番号: 特願2008-123944

(17) 有機置換ポリゲルマン化合物の製造法，出願番号: 特願2010-031876

(18) 高耐熱性含硫黄有機置換ポリゲルマン化合物，出願番号: 特願2010-031877

(19) ゲルマニウム含有高屈折率薄膜およびその製造方法，出願番号 : P20080263

(20) 固液界面へのレーザー直接描画による半導体薄膜パターン，出願番号：特願２０１０－１４３６６７

(21) 半導体薄膜用シリコン微粒子ゲルマニウム樹脂組成物，出願番号：特願２０１０－２００８４３

(22) 金属酸化物の製造法及び製造装置，出願番号：特願２０１１－１０１５２７

(23) MANUFACTURING METHOD OF AND MANUFACTURING APPARATUS FOR METAL OXIDE FILM，P２０１００４１９（国際出願）

(24)　塗布型半導体組成物，出願番号：特願P２０１２２００５４

(25) 半導体膜形成用塗布液、半導体膜及びその製造、特願2012-500619

(26) 高耐熱性含硫黄有機置換ポリゲルマン化合物，特願2012-161771

(27) POLYGERMANE COMPOUND WITH SULPHUR-CONTAINING ORGANIC GROUP DISPLAYING HIGH RESISTANCE, Nissan Chemical Industries, Ltd., Tohoku University, P20090354 (2012).

(28) 半導体膜形成用塗布液、半導体膜及びその製造方法、並びに太陽電池，特願2013-069880

(29) 太陽電池及びその光電変換効率向上方法，特願2013-209180

(30)　太陽電池，特願2013-209183

(31)　半導体膜及び半導体素子，TW 102125887 (2013).

(32)　ヘテロ接合太陽電池，特願2014-009314

(33)　シリコン太陽電池，特願2014-009304

(34)　半導体素子，特願2014-009307

(35)　太陽電池モジュール，特願2014-009357

(36)　太陽電池モジュール及びその製造方法，特願2014-009358 (2014)

(37)　シリコン太陽電池，特願2014-063974

(38)　半導体膜及び半導体素子，PCT/JP2013/69527，特開2014/14057

(39)  Manufacturing method of and manufacturing apparatus for metal oxide film, 公告番号　US20120276303 A1 登録

(40) 半導体膜及び半導体素子, 出願番号　 WO 2014014057 A1, 特許登録（2016）：台湾１０２１２５８８７

(41) 太陽電池及びその光電変換効率向上方法, 出願番号: 2014-196737，公開番号: 2015-092554, 登録：2016年3月8日

(42) 半導体膜形成用塗布液、半導体膜及びその製造方法、並びに太陽電池，出願番号：特願2016-028098，公開番号：2016154231，登録日：2017/9/15, 登録番号：06206855

(43) 半導体膜形成用塗布液、半導体膜及びその製造方法、並びに太陽電池，出願番号：特願2016-028099，公開番号：2016154232，登録日：2017/9/15, 登録番号：06206856

(44) 太陽電池，出願国：中華人民共和国，出願番号：201480051204.6，公開番号：105556681，登録日：2017-11-17, 登録番号：ZL201480051204.6

(45) 太陽電池, 願国：日本，出願番号：特願2015-540371，公開番号：WO2015/049841，登録日：2017-08-04, 登録番号：06183760

(46) 太陽電池及びその光電変換効率向上方法，出願国：日本，出願番号：特願2015-230482，公開番号：2016048799，登録日：2017-03-24, 登録番号：06112744

(47) SEMICONDUCTOR FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT，出願国：アメリカ，出願番号：15/841,549，登録番号： P20120054-01

(48) SOLAR CELL, MANUFACTURING METHOD THERFOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THERFOR, 出願国：アメリカ，出願番号：16/121,269，登録番号： P20130193

(50) スーパーキャパシタ、スーパーキャパシタ用カーボン材料電極、スーパーキャパシタ用カーボン材料膜の製造方法、およびスーパーキャパシタ用電極の製造方法, 出願番号：特願2020-193710

(51) キャパシタ及びその製造方法，特許第6782409号

(52) キャパシタ及びその製造方法，特許第7173498号

(53) ＲＦＩＤタグ，出願番号：特願 2022-074173

(54) ＲＦＩＤタグ，出願番号：特願 2022-074174

(55) ＲＦＩＤタグおよび無線給電ひずみセンサー，出願番号：特願 2022-109329

(56) ＲＦＩＤタグ、パッシブ型ＲＦＩＤタグセンサー、ＲＦＩＤタグホルダー、および増幅アンテナ，出願番号：特願 2022-143255

(57) ＲＦＩＤタグ、パッシブ型ＲＦＩＤタグセンサー、ＲＦＩＤタグ用スペーサーおよび補助アンテナ用スペーサー，出願番号：特願 2022-147460

(58) ＲＦＩＤタグ、パッシブ型ＲＦＩＤタグ光センサー、および光の放射照度の決定方法，出願番号：特願 2022-132488